Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP640FESDH6327XTSA1
RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP640F
BFP640FESDH6327XTSA1 Hakkında
BFP640FESDH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistörüdür. 46GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.7V maksimum collector-emitter gerilimi, 50mA maksimum collector akımı ve 200mW maksimum güç tüketimi ile karakterize edilir. 0.55dB ile 1.7dB arasında değişen noise figure, düşük gürültülü RF ön amplifikatörleri ve yüksek frekans sinyal işleme devrelerinde kullanılmasına uygun kılmaktadır. 110 minimum DC current gain (hFE) ile güvenilir amplifikasyon sağlar. Surface mount 4-TSFP paket içinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabildir. Uydu haberleşmesi, radar sistemleri, mobil iletişim alıcıları ve diğer RF uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V |
| Frequency - Transition | 46GHz |
| Gain | 8B ~ 30.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | 4-TSFP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.7V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok