Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP640FE6327
RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP640
BFP640FE6327 Hakkında
BFP640FE6327, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans RF transistörüdür. NPN tipinde bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmış olup, 40GHz transition frekansı ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmaktadır. 4.5V collector-emitter breakdown voltajı ile düşük voltaj uygulamalarına uygun bir komponenttir. Maksimum 50mA collector akımında 110 minimum DC akım kazancı (hFE) sunmaktadır. 0.65-1.2dB arasında noise figure performansı ile düşük gürültülü amplifikasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Surface mount 4-TSFP paketinde sunulan bu transistör, 200mW güç sınırlaması ile ultra yüksek frekans RF amplifikasyonu, low-noise pre-amplifier ve hızlı switching uygulamalarında kullanılır. Şu anda üretim dışı (obsolete) durumda olmasına karşın, arşiv projeleri ve onarım çalışmalarında gerekli olabilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V |
| Frequency - Transition | 40GHz |
| Gain | 23dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | 4-TSFP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok