Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP640E6327
RF BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SC-82A
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP640E6327
BFP640E6327 Hakkında
BFP640E6327, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. RF (Radyo Frekansı) uygulamaları için tasarlanan bu bileşen, 40GHz transition frequency ile hızlı anahtarlama ve yüksek frekans işlemesi gerektiren devrelerde kullanılır. Surface mount SC-82A (SOT-343) paketinde sunulan transistör, düşük noise figure (0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz) özelliği sayesinde hassas RF alıcı devreleri, amplifikatörler ve mikrodalga haberleşme sistemlerinde uygulanır. 50mA maksimum collector akımı, 110 minimum DC current gain ve 200mW güç yönetimi kapasitesi ile kompakt ancak güçlü RF tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V |
| Frequency - Transition | 40GHz |
| Gain | 24dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT343-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok