Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP620FH7764XTSA1
RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP620
BFP620FH7764XTSA1 Hakkında
BFP620FH7764XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekanslı RF NPN bipolar transistördür. 65GHz transition frequency ile ultra geniş bant uygulamalarında çalışmaya tasarlanmıştır. 2.8V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 185mW maksimum güç disipasyonuyla, düşük voltaj RF devrelerinde kullanılır. 80mA maksimum collector akımı ve 110 minimum hFE (50mA, 1.5V'de) özellikleriyle ses bantından mikrodalgaya kadar geniş frekans aralığında çalışır. 0.7-1.3dB gürültü şekli 1.8-6GHz'de ölçülmüştür. Surface mount 4-TSFP paketinde sunulan bu transistör, uydu haberleşmesi, kablosuz iletişim, radyo frekansı amplifikatörleri ve MİKA devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -150°C maksimum junction sıcaklığında güvenilir çalışım sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 50mA, 1.5V |
| Frequency - Transition | 65GHz |
| Gain | 21dB ~ 10dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 185mW |
| Supplier Device Package | 4-TSFP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.8V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok