Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP540FESDH6327XTSA1
RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP540
BFP540FESDH6327XTSA1 Hakkında
BFP540FESDH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN RF transistörüdür. 30GHz transition frequency ve 5V breakdown voltajı ile ultra-yüksek frekans uygulamalarında kullanılmaktadır. 80mA maksimum kolektör akımı, 20dB kazanç ve 0.9-1.4dB gürültü figürü özellikleri sayesinde düşük gürültü RF ön uç devrelerinde, mikro dalga haberleşme sistemlerinde ve uydu haberleşme alıcılarında tercih edilir. 4-TSFP yüzey montajlı kasa türü ile kompakt PCB tasarımlarına uyumludur. Maksimum 250mW güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı endüstriyel ve askeri uygulamalara dayanıklılık sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 3.5V |
| Frequency - Transition | 30GHz |
| Gain | 20dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Supplier Device Package | 4-TSFP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok