Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP196WNH6327XTSA1
RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-82A
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP196
BFP196WNH6327XTSA1 Hakkında
BFP196WNH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN RF transistörüdür. 7.5GHz transition frequency ile çalışan bu komponent, RF ve microwave uygulamalarında sinyal amplifikasyonu için tasarlanmıştır. 12V kollektör-emiter breakdown voltajı ve 150mA maksimum kollektör akımı ile çeşitli RF devre tasarımlarında kullanılır. 900MHz'de 1.3dB noise figure değeri ile düşük gürültülü amplifikatör uygulamalarına uygundur. 700mW maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel RF uygulamaları, kişisel haberleşme cihazları ve uydu iletişim sistemlerinde yer alır. SOT-343 SMD paketlemesi ile compact tasarımlara entegrasyonu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 8V |
| Frequency - Transition | 7.5GHz |
| Gain | 9.7dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB @ 900MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 700mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT343-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok