Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP196WE6327HTSA1
RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-82A
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP196
BFP196WE6327HTSA1 Hakkında
BFP196WE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi RF transistördür. 7.5GHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalar için tasarlanmıştır. 12V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 150mA maksimum collector akımı ile çalışır. 12.5dB-19dB gain aralığında ve 1.3dB-2.3dB noise figure karakteristiğine sahiptir. 700mW maksimum güç tüketimi ile 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanır. SOT-343 (SC-82A) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. Hücresel iletişim, WLAN, radar ve diğer RF haberleşme sistemlerinde kullanılır. Üretici statüsü obsolete olup stok tükenmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 8V |
| Frequency - Transition | 7.5GHz |
| Gain | 12.5dB ~ 19dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 700mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT343-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok