Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFP196WE6327

RF TRANSISTOR, L BAND, NPN

Paket/Kılıf
SC-82A
Seri / Aile Numarası
BFP196

BFP196WE6327 Hakkında

BFP196WE6327, Rochester Electronics tarafından üretilen L Band RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar transistördür. 7.5GHz transition frequency ile yüksek frekans haberleşme sistemlerinde, radyo frekans amplifikatörlerde ve alıcı devrelerde kullanılmaya uygun bir komponenttir. 150mA maksimum kolektör akımı, 12.5dB ~ 19dB kazanç aralığı ve 1.3dB ~ 2.3dB gürültü faktörü ile 900MHz ~ 1.8GHz frekans bandında çalışmaktadır. SC-82A (SOT-343) yüzey monte paketinde sunulan transistör, 150°C çalışma sıcaklığına ve 700mW maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Mobil haberleşme, WiFi, Bluetooth ve diğer RF uygulamalarında sinyal amplifikasyonu gerektiren tasarımlarda yer bulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 8V
Frequency - Transition 7.5GHz
Gain 12.5dB ~ 19dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-82A, SOT-343
Part Status Active
Power - Max 700mW
Supplier Device Package PG-SOT343-4
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok