Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP196E6327HTSA1
RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-253-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP196
BFP196E6327HTSA1 Hakkında
BFP196E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörüdür. 7.5GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 150mA collector akımı, 12V breakdown voltage ve 700mW güç kapasitesi ile amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde yer alır. 1.3-2.3dB gürültü şekli (900MHz-1.8GHz) ve 10.5-16.5dB kazanç özellikleri ile UHF band uygulamaları, GSM/UMTS alıcı tasarımları, düşük gürültü amplifikatörleri ve RF ön uçları için uygun bir seçenektir. SOT-143-4 paket tipi, yüzey montajı için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 8V |
| Frequency - Transition | 7.5GHz |
| Gain | 10.5dB ~ 16.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-253-4, TO-253AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 700mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT-143-3D |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok