Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP193WH6327XTSA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-82A
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP193
BFP193WH6327XTSA1 Hakkında
BFP193WH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. 12V maksimum kollektör-emitter voltajı ve 80mA maksimum kollektör akımı ile tasarlanmıştır. 8GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 900MHz-1.8GHz frekans aralığında 1dB-1.6dB noise figure değerine sahiptir. 13.5dB-20.5dB kazanç aralığı ile RF amplifikasyon devrelerinde, alıcı (receiver) ön aşamalarında ve gürültü kritik uygulamalarda tercih edilir. SOT-343 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımları mümkün kılar. 150°C çalışma sıcaklığında 580mW maksimum güç dissipasyonu ile mobil iletişim, GSM, WLAN ve diğer RF uygulamalarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 13.5dB ~ 20.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 580mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT343-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok