Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP193E6327HTSA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-253-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP193
BFP193E6327HTSA1 Hakkında
BFP193E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN RF transistörüdür. 8GHz transition frequency ile UHF ve L-bant uygulamalarına uygundur. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve 80mA maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. 1dB-1.6dB noise figure (900MHz-1.8GHz) özellikleri sayesinde düşük gürültülü RF ön uç devreleri, küçük sinyal amplifikatörleri ve kayıpçı uygulamalarda tercih edilir. 150°C işletme sıcaklığında güvenilir performans sağlar. SOT143-4 yüzey montaj paketi, kompakt tasarımlara imkan tanır. Mobilya iletişim, radar ve IoT uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 12dB ~ 18dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-253-4, TO-253AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 580mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT-143-3D |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok