Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP183WE6327BTSA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-82A
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP183
BFP183WE6327BTSA1 Hakkında
BFP183WE6327BTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen RF NPN bipolar transistördür. 8GHz transition frequency ile ultra yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 450mW power dissipation ile düşük güçlü RF amplifikatör, mixer ve switch uygulamalarında çalışır. 0.9dB ile 1.4dB arasında noise figure değerleri 900MHz ile 1.8GHz frekans aralığında belirtilmiştir. SOT-343 (SC-82A) SMD paketinde sunulan bu transistör, özellikle GSM, CDMA ve diğer mobil haberleşme alıcı devrelerinde yaygın olarak kullanılmıştır. 22dB kazanç ve 70 minimum DC current gain parametreleri, hassas RF ön kademesi tasarımlarına uygunluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 15mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 22dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 450mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT343-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok