Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP183E7764HTSA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-253-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP183
BFP183E7764HTSA1 Hakkında
BFP183E7764HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar transistördür. 8GHz transition frekansı ve 22dB kazanç ile UHF ve microwave frekans bandlarında çalışmaya uygundur. Maksimum 250mW güç tüketimi, 12V Vce(br) ile sınırlı voltaj uygulamalarında kullanılabilir. 0.9-1.4dB noise figure özelliği ile düşük gürültü RF alıcı devreleri, LNA (Low Noise Amplifier) uygulamaları, VCO tampon kütüphaneleri ve GSM/CDMA band amplifikatörleri için uygundur. Yüzey montajlı SOT143-4 paket tasarımı kompakt PCB tasarımlarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 15mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 22dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-253-4, TO-253AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT-143-3D |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok