Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP182WH6327XTSA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-82A
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP182
BFP182WH6327XTSA1 Hakkında
BFP182WH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar transistördür. 8GHz transition frequency ile yüksek frekanslı sinyal amplifikasyonu gerçekleştirir. Maksimum 35mA kolektör akımı ve 12V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışan bu bileşen, 900MHz-1.8GHz frekans aralığında 0.9-1.3dB noise figure sunar. 22dB gain seviyesi ve 70 minimum DC current gain (hFE) değeri ile güçlü sinyal işleme kapasitesi sağlar. SOT-343 yüzey montaj paket türü ile kompakt tasarımlara uygundur. Uygulamalar arasında RF amplifikatörler, mixer devreler, düşük gürültülü ön uç uygulamaları ve mobil iletişim sistemleri yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 22dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 250mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT343-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok