Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP182WE6327HTSA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-82A
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP182
BFP182WE6327HTSA1 Hakkında
BFP182WE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar transistördür. 8GHz transition frequency ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 35mA maksimum kolektör akımı ile çalışabilen bu bileşen, 0.9-1.3dB gürültü şekli özellikleri sayesinde düşük gürültü amplifikatörleri, kablo televizyon sistemleri, GSM ve CDMA alıcı devrelerinde uygulama alanı bulur. SOT-343 (SC-82A) yüzeye monte paketinde sunulur. 22dB kazanç ve 70 (minimum) akım kazancı ile RF ön yükseçleme ve darboğaz amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 250mW maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle enerji-verimli tasarımlara uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 22dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT343-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok