Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP182WE6327
RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SC-82A
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP182
BFP182WE6327 Hakkında
BFP182WE6327, Rochester Electronics tarafından üretilen L-Band RF transistörüdür. NPN tipinde bu komponent, 8GHz transition frequency ile radyo frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 22dB gain değeri ve 0.9-1.3dB noise figure karakteristiği ile 900MHz-1.8GHz frekans aralığında çalışır. Maksimum 35mA kolektör akımı, 250mW güç disipasyonu ve 12V collector-emitter breakdown voltajı ile orta seviye RF amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Surface mount SC-82A (SOT-343) paketi ile entegre edilmiş cihazlarda kullanılabilir. Uydu haberleşme, mobil base station ön kuvvetlendiricileri ve L-band RF sistemlerinde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 22dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT343-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok