Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP182RE7764HTSA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143R-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-143R
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP182
BFP182RE7764HTSA1 Hakkında
BFP182RE7764HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörlü (BJT) RF amplifikasyon uygulamaları için tasarlanmış bir yarı iletken bileşenidir. 8GHz transition frequency ile VHF ve UHF frekans bandlarında çalışmaya uygundur. 35mA maksimum kolektör akımı, 12V breakdown voltajı ve 250mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile mobil iletişim alıcı devrelerinde, RF ön amplifikatörlerde ve düşük gürültülü amplifikasyon aşamalarında kullanılır. 0.9-1.3dB gürültü figürü ve 22dB kazanç özellikleriyle hassas sinyal işleme uygulamaları için uygundur. SOT-143R paketinde surface mount teknolojisine uygun olup, 150°C çalışma sıcaklığına dayanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 22dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-143R |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT143-4-1 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok