Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP181E7764HTSA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-253-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP181
BFP181E7764HTSA1 Hakkında
BFP181E7764HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 8GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 175mW güç yönetim kapasitesi ile düşük gürültü RF amplifikatörü, mixer ve osilatör devrelerinde uygulanır. 0.9-1.2dB gürültü figürü (900MHz-1.8GHz) ve 17.5-21dB kazanç özelliği ile mobil haberleşme, satellite ve endüstriyel RF sistemlerinde tercih edilir. SOT-143 yüzey montajlı paket, kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 70mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 17.5dB ~ 21dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-253-4, TO-253AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 175mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT-143-3D |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok