Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP 740FESD E6327
RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP 740
BFP 740FESD E6327 Hakkında
BFP 740FESD E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans RF NPN bipolar junction transistörüdür. 47GHz transition frequency ile ultra yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.7V maksimum collector-emitter breakddown voltajı ve 160mW maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle hassas RF devrelerinde yer alır. 0.5dB-1.45dB arasında noise figure değerleriyle low-noise amplifier (LNA) ve yüksek frekanslı receiver ön amplifikatörü tasarımlarında tercih edilir. 25mA collector akımında 160 minimum DC current gain sağlayarak 9dB-31dB kazanç aralığında çalışabilir. Surface mount 4-TSFP pakajında sunulur. Uydu haberleşme, radar, mikrodalga ve 150MHz-10GHz frekans bandında çalışan profesyonel RF sistemlerinde uygulanır. Part status obsolete olmasına rağmen eski tasarımlar ve yedek parça gereksinimlerinde bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 45mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 25mA, 3V |
| Frequency - Transition | 47GHz |
| Gain | 9dB ~ 31dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 160mW |
| Supplier Device Package | 4-TSFP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.7V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok