Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP 650F E6327
RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP 650F
BFP 650F E6327 Hakkında
BFP 650F E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistörüdür. 42GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.5V collector-emitter breakdown voltajı ve 150mA maksimum collector akımı ile kompakt 4-TSFP SMD paket içinde sunulur. 1.8GHz ile 6GHz aralığında 0.8dB ile 1.9dB arasında gürültü şekli ve 11dB ile 21.5dB kazanç özelliği sunar. 110 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 500mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük gürültülü RF ön uçlarında, yüksek frekans amplifikatörlerinde ve uydu haberleşme sistemlerinde uygulanabilir. Component obsolete (üretim dışı) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 80mA, 3V |
| Frequency - Transition | 42GHz |
| Gain | 11dB ~ 21.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Supplier Device Package | 4-TSFP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok