Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP 640FESD E6327
RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP 640
BFP 640FESD E6327 Hakkında
BFP 640FESD E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 46GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamaları için tasarlanmıştır. 4.7V maksimum collector-emitter gerilimi ve 50mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 0.55dB ile 1.7dB arasında değişen noise figure karakteristiği ile ön uç amplifikatörleri, LNA (Low Noise Amplifier) ve RF ön işlemci devrelerinde uygulanabilir. Surface mount 4-TSFP paket formatında sunulan bu transistör, 30mA ve 3V koşullarında 110 minimum DC current gain (hFE) sağlar. Yüksek frekans haberleşme sistemleri, test ekipmanları ve uydu iletişim sistemlerinde değerlendirilir. Not: Bu bileşen artık kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V |
| Frequency - Transition | 46GHz |
| Gain | 8B ~ 30.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | 4-TSFP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.7V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok