Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP 520F E6327
RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP 520F
BFP 520F E6327 Hakkında
BFP 520F E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 45GHz transition frequency ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maximum 3.5V collector-emitter breakdown voltajı ve 40mA maximum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında çalışır. 0.95dB noise figure (1.8GHz'de) ve 22.5dB gain karakteristikleri ile amplifikasyon devrelerinde etkin performans sağlar. Surface mount 4-TSFP paketinde sunulan bileşen, mobil iletişim, uydu haberleşme ve yüksek frekans sinyal işleme sistemlerinde kullanılan amplifikatör ve osilatör devrelerinde uygulanır. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında 100mW güç tüketimi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 20mA, 2V |
| Frequency - Transition | 45GHz |
| Gain | 22.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.95dB @ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Supplier Device Package | 4-TSFP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3.5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok