Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFP 420F E6327

RF TRANS NPN 5V 25GHZ 4TSFP

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
BFP 420F

BFP 420F E6327 Hakkında

BFP 420F E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi RF transistördür. 25GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5V collector-emitter breakdown voltajı ve 35mA maksimum collector akımı ile düşük güç RF devreleri için uygundur. 1.1dB noise figure değeri ile LNA (Low Noise Amplifier) ve alıcı ön aşaması uygulamalarında tercih edilir. 4-TSFP yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, uydu haberleşmesi, hücresel iletişim sistemleri, radar ve diğer RF/microwave uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 160mW güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uyumludur. Bileşen obsolete (üretilmiyor) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 35mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 4V
Frequency - Transition 25GHz
Gain 19.5dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1.8GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 4-SMD, Flat Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 160mW
Supplier Device Package 4-TSFP
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok