Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP181E7764
RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-253-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP181
BFP181E7764 Hakkında
BFP181E7764, Rochester Electronics tarafından üretilen L Band RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar junction transistörlüdür. Surface Mount TO-253-4 paketinde sunulan bu bileşen, 8GHz transition frequency ile 900MHz-1.8GHz frekans aralığında 0.9dB-1.2dB noise figure değeri sağlar. 17.5dB-21dB kazanç karakteristiğine sahip transistör, maksimum 20mA kolektör akımı ve 175mW güç disipasyonu kapasitesiyle çalışır. 70@70mA,8V DC current gain değeri ile RF amplifikatör, oscillatör ve switching uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile +150°C operating temperature aralığında güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
| Part Status | Active |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 70mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 17.5dB ~ 21dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-253-4, TO-253AA |
| Power - Max | 175mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT-143-3D |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok