Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BFN39H6327XTSA1

TRANS PNP 300V 0.2A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BFN39H6327

BFN39H6327XTSA1 Hakkında

BFN39H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, 300V maksimum collector-emitter gerilim ve 200mA maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. SOT223 surface mount pakette sunulan bu bileşen, 100MHz geçiş frekansı ve 1.5W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle düşük seviye sinyallerin anahtarlanması ve amplifikasyonunda kullanılır. 30@10V'de 30 minimum DC akım kazancı ile genel amaçlı anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve sinyal işleme uygulamalarında yer alabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 200 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Not For New Designs
Power - Max 1.5 W
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok