Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BFN24E6327HTSA1
TRANS NPN 250V 0.2A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BFN24E6327
BFN24E6327HTSA1 Hakkında
BFN24E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 250V collector-emitter breakdown voltajı ve 200mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23 surface mount paketinde sunulan bu transistör, 70MHz transition frequency ile anahtarlama ve düşük frekans amplifikasyon devreleri için uygun bir seçimdir. 360mW maksimum power dissipation kapasitesi ile genel amaçlı dijital ve analog uygulamalarında, özellikle sinyal işleme, DC motorları kontrol ve küçük güç yönetim devrelerinde tercih edilir. 40 minimum DC current gain (hFE) değeri ile güvenilir çalışma sağlar. NOT: Bu bileşen yeni tasarımlar için kullanım önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, 10V |
| Frequency - Transition | 70MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 360 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 2mA, 20mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok