Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BFN18H6327XTSA1
TRANSISTOR AF SOT89-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- BFN18H6327
BFN18H6327XTSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BFN18H6327XTSA1, düşük sinyal frekans uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar junction transistördür. TO-243AA (SOT89-4) surface mount paketi ile sunulan bu transistör, 70MHz transition frequency özelliği ile RF ve AF (ses frekansı) devrelerinde kullanılır. Maksimum collector akımı 200mA, collector-emitter saturation voltajı 500mV (2mA, 20mA koşullarında) ve 300V breakdown voltajı özelliğine sahiptir. 1.5W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ve 30@30mA, 10V koşullarında minimum 30 DC current gain değeri ile genel sinyal amplifikasyon, switches ve impedans matching uygulamalarında kullanıma uygundur. Sıcaklık koşulu altında 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 30mA, 10V |
| Frequency - Transition | 70MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 1.5 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT89 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok