Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFG67/X,215

RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B

Paket/Kılıf
TO-253-4
Seri / Aile Numarası
BFG67

BFG67/X,215 Hakkında

BFG67/X,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 8GHz geçiş frekansı ile UHF ve mikrodalgalar alanındaki geniş bant amplifikatör ve osilatör devrelerinde kullanılır. SOT-143B yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. 50mA maksimum kolektör akımı ve 10V çöküş voltajı ile düşük sinyal seviyesi uygulamalarında çalışmaya uygundur. 1.3dB gürültü şekli 1GHz'de düşük gürültü ön kademesi tasarımlarında tercih edilir. Maksimum 380mW güç dağılımı ile sınırlı güç bütçesi olan RF devrelerine entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 5V
Frequency - Transition 8GHz
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.3dB @ 1GHz
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-253-4, TO-253AA
Part Status Obsolete
Power - Max 380mW
Supplier Device Package SOT-143B
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok