Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFG67,215
RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-253-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFG67
BFG67,215 Hakkında
BFG67,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. RF uygulamaları için tasarlanmış bu komponent, 8GHz transition frequency ile UHF/SHF band çalışmalarına uygundur. 50mA maksimum kolektör akımı, 10V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.3-3dB noise figure özellikleriyle radyo frekans amplifikatörleri, alıcı devreler ve düşük gürültü ön kuvvetlendirici tasarımlarında kullanılır. SOT-143B yüzey montaj paketinde sunulan komponent, 380mW maksimum güç yayımıyla kompakt RF devre uygulamalarına uygun bir çözüm sağlar. Uygulamanız için detaylı elektriksel karakteristikler ve devre tasarımı önerileri datasheet'te yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 15mA, 5V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-253-4, TO-253AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 380mW |
| Supplier Device Package | SOT-143B |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok