Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFG520W/X,115
RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-343 Reverse Pinning
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFG520W
BFG520W/X,115 Hakkında
BFG520W/X,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 9GHz transition frequency ile RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 15V collector-emitter breakdown voltajı ve 70mA maksimum collector akımı ile düşük güç RF devreleri, LNA (Low Noise Amplifier) uygulamaları, VHF/UHF band uygulamaları ve darbeleme amplifikatörleri gibi yüksek frekans sinyal işleme devrelerinde kullanılır. 1.1dB-2.1dB arasında gürültü figürü (900MHz'de) ile düşük gürültülü uygulamalar için uygundur. SOT-343 yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, 500mW maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Sıcaklık aralığı -55°C ile +175°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 20mA, 6V |
| Frequency - Transition | 9GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-343 Reverse Pinning |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Supplier Device Package | 4-SO |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok