Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFG425W,115
RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SC-82A
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFG425W
BFG425W,115 Hakkında
BFG425W,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar junction transistörüdür. 25GHz transition frequency ve 4.5V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ile ultra yüksek frekans bölgesinde çalışabilir. 30mA maksimum collector akımı ve 135mW maksimum power dissipation ile kompakt RF amplifikatör ve LNA (Low Noise Amplifier) devrelerinde kullanılır. 0.8dB-1.2dB gürültü figürü 900MHz-2GHz frekans bandında, 20dB kazanç ve 50 minimum DC akım kazancı (25mA, 2V şartlarında) ile mobil iletişim, uydu haberleşme ve radar sistemlerinde uygulanabilir. Surface mount SC-82A/SOT-343 paketinde sunulur. Tarih itibariyle üretim durdurulmuş (obsolete) olup, yeni tasarımlarda değiştirilmiş versiyonları tercih edilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 25mA, 2V |
| Frequency - Transition | 25GHz |
| Gain | 20dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 135mW |
| Supplier Device Package | CMPAK-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok