Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFG410W,135
RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SC-82A
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFG410W
BFG410W,135 Hakkında
BFG410W, NXP Semiconductors tarafından üretilen high-frequency NPN bipolar junction transistörüdür. 22GHz transition frequency ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.5V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 12mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarına uygundur. 0.9-1.2dB noise figure performansı ile amplifier ve low-noise receiver front-end tasarımlarında tercih edilir. SC-82A (SOT-343) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu transistör, 150°C junction sıcaklığında çalışabilir. 54mW maksimum güç sınırlandırması ile mobil haberleşme, radar, test ve ölçüm cihazları gibi RF sistemlerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 2V |
| Frequency - Transition | 22GHz |
| Gain | 21dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 54mW |
| Supplier Device Package | CMPAK-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok