Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFG410W,115

RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4

Paket/Kılıf
SC-82A
Seri / Aile Numarası
BFG410W

BFG410W,115 Hakkında

BFG410W,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar junction transistördür. 22GHz transition frequency ve 4.5V Vce(br) ile yüksek frekanslı haberleşme sistemlerinde kullanılır. 900MHz-2GHz aralığında 0.9-1.2dB noise figure ile düşük gürültü amplifikasyon uygulamalarına uygundur. 12mA maksimum collector akımı ve 54mW maksimum güç derecelendirmesi ile küçük sinyal RF amplifikasyonu, LNA (Low Noise Amplifier) ve RF ön aşama konfigürasyonlarında yer alır. SC-82A (CMPAK-4) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 150°C'ye kadar çalışabilir. Parça obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 12mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition 22GHz
Gain 21dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-82A, SOT-343
Part Status Obsolete
Power - Max 54mW
Supplier Device Package CMPAK-4
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 4.5V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok