Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFG35,115
RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFG35
BFG35,115 Hakkında
BFG35,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen Surface Mount RF NPN transistörüdür. TO-261-4 (SC-73) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek frekanslı uygulamalar için tasarlanmıştır. 4GHz transition frequency ile 150mA maksimum kollektör akımı sağlar. 18V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 1W maksimum güç tüketimi özellikleriyle, RF amplifikatörler, osilatörler ve switching devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 175°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Şu anda üretimi sonlandırılmış olup, mevcut stoklar için tercihli kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 100mA, 10V |
| Frequency - Transition | 4GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1W |
| Supplier Device Package | SC-73 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 18V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok