Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFG198,115
RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFG198
BFG198,115 Hakkında
BFG198,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans NPN BJT transistörüdür. 8GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 100mA collector akımı ve 10V breakdown voltajı ile düşük sinyal amplifikasyon devrelerinde, RF ön uç tasarımlarında ve yüksek frekans osilatör devrelerinde yer almaktadır. SOT223 (SC-73) yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, en fazla 1W güç tüketimi ile sınırlandırılmıştır. 175°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Parça obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1W |
| Supplier Device Package | SC-73 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok