Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFG135AE6327XT
RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFG135
BFG135AE6327XT Hakkında
BFG135AE6327XT, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. 6GHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 150mA kollektor akımı, 15V collector-emitter breakdown voltajı ve 1W güç dağıtımı kapasitesi ile kompakt RF devrelerinde yer alır. 900MHz-1.8GHz frekans aralığında 1.5-2.6dB noise figure performansı gösterir. 9-14dB gain değeri ile düşük sinyal seviyesi amplifikasyon uygulamalarında, özellikle hücresel haberleşme, WiFi, GSM ve diğer RF sistemlerinde kullanılır. SOT223-4 yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, kompakt tasarım gerektiren mobil ve giyilebilir cihazlarda tercih edilir. Part status discontinued olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 8V |
| Frequency - Transition | 6GHz |
| Gain | 9dB ~ 14dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 1W |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok