Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFG10/X,215
RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-253-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFG10
BFG10/X,215 Hakkında
BFG10/X,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekanslı RF NPN bipolar transistördür. 1.9GHz transition frequency ile 8V breakdown voltajında çalışır. 250mA maksimum kolektör akımı ve 400mW güç yönetimi kapasitesine sahiptir. SOT-143B yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, RF amplifikatör, düşük gürültülü ön uç (low-noise front-end) uygulamaları ve 1-2GHz bant genişliğinde çalışan haberleşme sistemlerinde kullanılır. DC akım kazancı 50mA, 5V koşullarında minimum 25'tir. Maksimum işletme sıcaklığı 175°C'dir. Bileşen şu anda kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 250mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 1.9GHz |
| Gain | 7dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-253-4, TO-253AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 400mW |
| Supplier Device Package | SOT-143B |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 8V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok