Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFG10,215
RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-253-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFG10
BFG10,215 Hakkında
BFG10,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar transistördür. 1.9GHz transition frequency ile çalışan bu bileşen, yüksek frekanslı sinyal amplifikasyonu gerektiren devreler için kullanılır. Maksimum 250mA kolektör akımı ve 400mW güç tüketimi kapasitesine sahip olan transistör, 7dB kazanç sunmaktadır. 8V kolektör-emitter break-down voltajı ile sınırlandırılmıştır. Surface mount SOT-143B paketinde sunulan komponent, taşınabilir iletişim cihazları, RF alıcı-verici modülleri ve yüksek frekanslı sinyal işleme uygulamalarında yer almaktadır. Maksimum 175°C çalışma sıcaklığına sahiptir. Üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 250mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 1.9GHz |
| Gain | 7dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-253-4, TO-253AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 400mW |
| Supplier Device Package | SOT-143B |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 8V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok