Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFG 19S E6327
RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFG19S
BFG 19S E6327 Hakkında
BFG 19S E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi RF transistördür. 5.5GHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılan bu komponent, özellikle 900MHz ile 1.8GHz arasında 2-3dB noise figure sunarak iletişim sistemlerinde, RF amplifikatörlerinde ve mobil haberleşme cihazlarında tercih edilir. Maksimum 210mA kolektör akımı ve 15V gerilim kapasitesiyle güç uygulamalarında yer alabilir. Surface mount SOT223-4 paketinde gelen transistör, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığını destekler. Entegre tasarım ve kompakt boyutuyla modern RF devre tasarımlarında yaygın olarak kullanılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 210mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 70mA, 8V |
| Frequency - Transition | 5.5GHz |
| Gain | 14dB ~ 8.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1W |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok