Transistörler - FET, MOSFET - RF
BF999E6812HTSA1
MOSFET N-CH RF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- BF999E6812HTSA1
BF999E6812HTSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BF999E6812HTSA1, N-Channel RF MOSFET transistörüdür. 300MHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, radyofrekans uygulamalarında sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır. 20V nominal gerilim ve 16mA akım kapasitesi ile VHF/UHF band uygulamalarında, RF ön uçları (front-end), düşük gürültülü amplifikatörler ve RF anahtarlar gibi devrelerde kullanılır. 27dB kazanç ve 2.1dB gürültü şekli (noise figure) belirtileri ile kablosuz iletişim, FM alıcıları ve taşınabilir RF cihazlarında uygulanabilir. TO-236-3 (SOT-23-3) paket formatında sunulur. Part Status olarak Last Time Buy olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 16mA |
| Frequency | 300MHz |
| Gain | 27dB |
| Noise Figure | 2.1dB |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | N-Channel |
| Voltage - Rated | 20 V |
| Voltage - Test | 10 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok