Transistörler - FET, MOSFET - RF
BF999E6327HTSA1
MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- BF999E6327
BF999E6327HTSA1 Hakkında
BF999E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel RF MOSFET transistördür. TO-236-3 (SOT-23) paket içinde sunulan bu komponent, 20V nominal gerilimde 30mA akım kapasitesi ile çalışır. 45MHz frekansında 27dB kazanç ve 2.1dB gürültü şekli (noise figure) sunarak RF uygulamalarında düşük gürültülü sinyal amplifikasyonu sağlar. Radyo frekansı alıcı devrelerinde, ön kademesi amplifikatörlerde ve düşük seviye sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Test koşullarında 10V gerilimde 10mA akımda karakterize edilmiştir. Küçük form faktörü sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 30mA |
| Frequency | 45MHz |
| Gain | 27dB |
| Noise Figure | 2.1dB |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | N-Channel |
| Voltage - Rated | 20 V |
| Voltage - Test | 10 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok