Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BF799E6327HTSA1
RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BF799
BF799E6327HTSA1 Hakkında
BF799E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. RF (radyo frekans) uygulamaları için tasarlanmış olan bu komponent, 800MHz transition frequency ile çalışır. Maksimum 35mA kollektör akımı ve 20V kollektör-emiter breakdown voltajı ile karakterize edilir. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, geniş bant RF amplifikasyon, VHF/UHF haberleşme devrelerinde, RF sinyali işleme ve düşük gürültü uygulamalarında kullanılır. 3dB tipik gürültü şekli (100MHz'de) düşük gürültü performansı gerektiğinde tercih edilir. Maximum 280mW güç dağıtımı kapasitesi ile sınırlı güç uygulamalarında çalışabilir. 150°C maksimum junction sıcaklığı endüstriyel ortamlara uygunluğunu gösterir. Bileşen obsolete durumda olup, mevcut stok sınırlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 800MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3dB @ 100MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 280mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok