Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BF771E6327HTSA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BF771
BF771E6327HTSA1 Hakkında
BF771E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar transistördür. RF (radyo frekansı) uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, 8GHz transition frequency ile çalışabilir. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 80mA collector akımı özellikleriyle 900MHz-1.8GHz frekans bandında 1dB-1.6dB noise figure sunar. 10dB-15dB kazanç karakteristiği ile RF amplifikatörü, ossilatör ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. SOT-23-3 SMD paketinde gemi edilmiş olup 150°C maksimum junction sıcaklığında 580mW güç kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 10dB ~ 15dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 580mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok