Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BF423,112

TRANS PNP 250V 0.05A SOT54

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BF423

BF423,112 Hakkında

BF423,112, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paket içinde gelen bu komponent, 250V maksimum collector-emitter voltajında ve 50mA collector akımında çalışabilir. 60MHz transition frequency ve 50 minimum DC current gain (hFE) karakteristiğine sahiptir. 830mW maksimum güç tüketimi ile düşük sinyalli uygulamalarda, audio amplifikatörlerde, sinyal şekillendirmede ve ayrık transistör devrelerinde kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda uygulanabilir. Through-hole montaj tipi nedeniyle geleneksel devre kartlarında kolaylıkla entegre edilebilir. Ürün stok dışı (Obsolete) olup yerini daha modern çözümler almıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 25mA, 20V
Frequency - Transition 60MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 830 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok