Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BF240,112
RF TRANS NPN 40V 150MHZ TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BF240
BF240,112 Hakkında
BF240,112 NXP Semiconductors tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar junction transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, 40V collector-emitter gerilimi ve 150MHz transition frequency ile düşük güçlü RF sinyal işleme ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 25mA maksimum collector akımı ve 300mW maksimum güç derecelendirmesi ile VHF band uygulamalarına uygundur. 1mA ve 10V'da minimum 67 DC current gain (hFE) değeri ile stabil amplifikasyon sağlar. Kısa dalga haberleşme, AM/FM alıcılar ve düşük seviyeli RF amplifikatör tasarımlarında tercih edilir. Bileşen üretime alınmamakta olup (obsolete) stok tükenmeden temin edilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 67 @ 1mA, 10V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok