Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BF199_J35Z
RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BF199
BF199_J35Z Hakkında
BF199_J35Z, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar transistördür. 1.1GHz transition frequency ile RF uygulamaları için tasarlanmıştır. Maximum 25V collector-emitter breakdown voltajı ve 50mA maksimum collector akımı ile çalışır. 350mW power rating'e sahiptir. TO-92-3 paketinde through-hole montaj özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. RF amplifikatör, ossilatör ve switching uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Not: Bu ürün obsolete (üretim durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 38 @ 7mA, 10V |
| Frequency - Transition | 1.1GHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 350mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok