Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BDX33DS
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Seri / Aile Numarası
- BDX33
BDX33DS Hakkında
BDX33DS, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial silicon Darlington transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10A collector akımı ve 120V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak için tasarlanmıştır. 750 minimum DC current gain (hFE) değeri ile yüksek amplifikasyon sağlar. 2W maksimum güç ve -65°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında motor kontrolü, aydınlatma kontrol devreleri ve güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. TO-220 paketinin through-hole montajı, konvansiyonel PCB tasarımlarında kolay entegrasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 6mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok