Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BDX33C
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Seri / Aile Numarası
- BDX33C
BDX33C Hakkında
BDX33C, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial silicon Darlington transistörüdür. Yüksek akım kazancı (minimum 750 @ 3A, 3V) ve 10A maksimum collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 70W maksimum güç tüketimine sahip bu transistör, motor kontrolleri, solenoid sürücüleri, LED driver devreleri ve güç amplifikatörü uygulamalarında tercih edilir. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan BDX33C, 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 150°C işletme sıcaklığı limiti ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur. Düşük base akımı gereksinimi sayesinde logic seviyesi sürücülerden doğrudan kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 70 W |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 6mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok