Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BDV65B

TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-218-3
Seri / Aile Numarası
BDV65B

BDV65B Hakkında

BDV65B, onsemi tarafından üretilen NPN Darlington transistördür. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 10A maksimum collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 1000 minimum DC current gain (hFE) değeri ile yüksek akım kazancı sağlar. TO-218-3 paketinde sunulan bu transistör, -65°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığında ve 125W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel motor kontrol, aydınlatma kontrol, güç anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanır. 2V maksimum doyum voltajı düşük güç kaybı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 10 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A, 4V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-218-3
Part Status Obsolete
Power - Max 125 W
Supplier Device Package SOT-93
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 20mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok