Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BDV65B

POWER TRANSISTOR NPN TO218

Paket/Kılıf
TO-218-3
Seri / Aile Numarası
BDV65B

BDV65B Hakkında

BDV65B, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tipinde bir power transistördür. TO-218-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 12A collector akımı, 125W güç dağıtım kapasitesi ve 100V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç seviyesi anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında yer alır. 60MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler. DC current gain (hFE) minimum değeri 5A ve 4V koşullarında 1000'dir. Through-hole montaj türü ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve benzer uygulamalarda kullanılan bu transistör şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 12 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition 60MHz
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-218-3
Part Status Obsolete
Power - Max 125 W
Supplier Device Package TO-218
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok